P5F50HP2F-5600 Артикул: 474432 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 44 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 35 96 Без НДС: 48.34 грн. 38.80 грн. 32.57 грн. 25.44 грн. 24.17 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	20А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	10,5нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	52,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,65Ом
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	5А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 5А, Idm: 20А