P32F12SN-5600 Артикул: 474364 Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 153 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 17 45 Без НДС: 74.42 грн. 66.15 грн. 54.07 грн. 51.52 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	128А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	92нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	120В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	44Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	15,5мОм
Технология:	EETMOS3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	32А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 120В, 32А, Idm: 128А, 44Вт