P22F10SN-5600 Артикул: 474295 Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 33 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 25 33 90 Без НДС: 49.61 грн. 41.47 грн. 34.79 грн. 27.35 грн. 26.08 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	66А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	34нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	35Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	28мОм
Технология:	EETMOS3
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	22А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт