P10F50HP2-5600 Артикул: 474225 Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт. Производитель: SHINDENGEN		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 12 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 18 48 Без НДС: 71.24 грн. 64.24 грн. 50.89 грн. 48.34 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	FTO-200AG (SC91)
Производитель:	SHINDENGEN
Pulsed drain current:	40А
Вид упаковки:	россыпью
Заряд затвора:	20нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	79Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	750мОм
Технология:	Hi-PotMOS2
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	10А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, SHINDENGEN, Транзистор: N-MOSFET, Hi-PotMOS2, полевой, 500В, 10А, Idm: 40А, 79Вт