|
|
NTH4L160N120SC1Артикул: 472657 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 69А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 34нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -15...25В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 55,5Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 224мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 12,3А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12,3А; Idm: 69А; 55,5Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 12, 3А, Idm: 69А, 55, 5Вт