|
|
FDP038AN06A0Артикул: 390897 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 44 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: |
TO220; TO220-3; |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Вид упаковки: | туба |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 310Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 7,8мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 80А |
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET