|
|
FDC6305NАртикул: 243797 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 277 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SuperSOT-6 |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 5нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 0.96Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,96Вт; 0.96Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 128мОм |
| Технология: | PowerTrench® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: |
2,7А; 2.7А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6.
Теги: ON SEMICONDUCTOR., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2, 7А, 0, 96Вт, SuperSOT-6.