|
|
FDA16N50-F109Артикул: 454624 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO3PN |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 66А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 45нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 205Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 380мОм |
| Технология: | UniFET™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 9,9А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 9, 9А, Idm: 66А, 205Вт, TO3PN