|
|
1N5407RLGАртикул: 421767 Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; бобина,лента; Ifsm: 200А; DO27. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5 |
Кол-во: 920 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | DO27 |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Импульсный ток: | 200А |
| Конструкция диода: | одиночный диод |
| Монтаж: | THT |
| Обратное напряжение макс.: | 800В |
| Падение напряжения макс.: | 1В |
| Прямой ток: | 3А |
| Тип диода: | импульсный |
| Ток утечки: | 50мкА |
Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; бобина,лента; Ifsm: 200А; DO27.
Теги: Универсальные диоды THT, ON SEMICONDUCTOR, Диод: импульсный, THT, 800В, 3А, бобина, лента, Ifsm: 200А, DO27