NX3020NAKV,115 Артикул: 473088 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 765 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 100 250 500 1000 4000 Без НДС: 27.28 грн. 20.61 грн. 16.87 грн. 12.43 грн. 9.96 грн. 7.48 грн. 6.72 грн. 6.28 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT666
Производитель:	NEXPERIA
Pulsed drain current:	0,8А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	440пC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	375мВт
Сопротивление в открытом состоянии:	9,2Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	120мА
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 120мА; Idm: 0,8А; 375мВт.

Теги: Транзисторы многоканальные, NEXPERIA, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 120мА, Idm: 0, 8А, 375мВт