|
|
NTH4L080N120SC1Артикул: 472656 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 9 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 125А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 56нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -15...25В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 28Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 80мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 21А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 21А; Idm: 125А; 28Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 21А, Idm: 125А, 28Вт