|
|
NTE2997Артикул: 304890 Транзистор: P-MOSFET; полевой; 160В; 7А; 100Вт; TO3PN. Производитель: NTE ELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO3PN |
| Производитель: | NTE Electronics |
| Вид упаковки: | туба |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±15В |
| Напряжение сток-исток: |
-160В; 160В; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 100Вт |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-7А; 7А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; 160В; 7А; 100Вт; TO3PN.
Теги: Транзисторы с каналом P THT, NTE Electronics, Транзистор: P-MOSFET, полевой, 160В, 7А, 100Вт, TO3PN