|
|
NTE2998Артикул: 306511 Транзистор: P-MOSFET; 200В; 8А; TO3. Производитель: NTE ELECTRONICS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO3 |
| Производитель: | NTE Electronics |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±14В |
| Напряжение сток-исток: |
-200В; 200В; |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 125Вт |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-8А; 8А; |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; 200В; 8А; TO3.
Теги: Транзисторы с каналом P THT, NTE Electronics, Транзистор: P-MOSFET, 200В, 8А, TO3