NTE2919 Артикул: 306449 Транзистор: P-MOSFET; 60В; 20А; TO220. Производитель: NTE ELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 8 25 Без НДС: 407.08 грн. 335.21 грн. 316.76 грн. 304.68 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO220; TO220F;
Производитель:	NTE Electronics
Pulsed drain current:	-80А
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-60В; 60В;
Полярность:	полевой
Потери мощности:	25Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	92мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-20А; 20А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; 60В; 20А; TO220.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, NTE Electronics, Транзистор: P-MOSFET, 60В, 20А, TO220