NTE2905 Артикул: 306435 Транзистор: P-MOSFET; 200В; 12А; TO247. Производитель: NTE ELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 26 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 25 Без НДС: 214.99 грн. 207.36 грн. 199.73 грн. 195.27 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247
Производитель:	NTE Electronics
Pulsed drain current:	-48А
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-200В; 200В;
Полярность:	полевой
Потери мощности:	150Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,5Ом; 500мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-7,5А; 12А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; 200В; 12А; TO247.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, NTE Electronics, Транзистор: P-MOSFET, 200В, 12А, TO247