NSF080120L3A0Q Артикул: 0858701 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 29 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 3 10 Без НДС: 1 671.11 грн. 1 257.40 грн. 1 127.10 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO247-3
Производитель:	NEXPERIA
Pulsed drain current:	80А
Вид упаковки:	туба
Заряд затвора:	52нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	-10...22В
Напряжение сток-исток:	1,2кВ
Полярность:	полевой
Потери мощности:	183Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,12Ом
Технология:	SiC
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	25А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, NEXPERIA, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 25А, Idm: 80А, 183Вт