|
|
PMV55ENEARАртикул: 476054 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт; SOT23. Производитель: NEXPERIA |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 835 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Pulsed drain current: | 12,6А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 19нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 8,36Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 120мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 2А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: |
ESD protected gate; logic level; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 12,6А; 8,36Вт; SOT23.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, NEXPERIA, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 2А, Idm: 12, 6А, 8, 36Вт, SOT23