PMGD780SN,115 Артикул: 213357 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 310мА; 410мВт; SOT363. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1191 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 100 250 500 1000 3000 Без НДС: 15.82 грн. 11.93 грн. 9.92 грн. 8.43 грн. 7.59 грн. 7.07 грн. 6.75 грн. 6.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT363
Производитель:	NEXPERIA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	1,05нC; 1.05нC;
Кол-во в упаковке:	3000шт.
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.41Вт; 410мВт;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0.41Вт; 410мВт;
Сопротивление в открытом состоянии:	1,7Ом; 1.7Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,31А; 0.31А; 310мА;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 310мА; 410мВт; SOT363.

Теги: NEXPERIA., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 310мА, 410мВт, SOT363.