PMGD280UN,115 Артикул: 213356 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 550мА; 400мВт; SOT363. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1476 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 100 250 500 1000 3000 Без НДС: 14.40 грн. 12.91 грн. 10.83 грн. 9.79 грн. 9.02 грн. 8.63 грн. 7.72 грн. 7.20 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT363
Производитель:	NEXPERIA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	0,89нC; 0.89нC;
Кол-во в упаковке:	3000шт.
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.4Вт; 400мВт;
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0.4Вт; 400мВт;
Сопротивление в открытом состоянии:	660мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,55А; 0.55А; 550мА;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 550мА; 400мВт; SOT363.

Теги: NEXPERIA., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 20В, 550мА, 400мВт, SOT363.