|
|
PMDXB950UPEZАртикул: 387620 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: NEXPERIA |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
DFN1010B-6; SOT1216; |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Pulsed drain current: | -2А |
| Заряд затвора: | 2,1нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение сток-исток: | -20В |
| Полярность: | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2,1Ом |
| Технология: | MOSFET |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -300мА |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, NEXPERIA, Транзистор: P-MOSFET