GAN7R0-150LBEZ Артикул: 858698 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, NEXPERIA, Транзистор: N-JFET, GaN, полевой, HEMT, 150В, 28А, Idm: 120А, 28Вт