GAN3R2-100CBEAZ Артикул: 858702 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 1500 Минимальный заказ позиции: 1500	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, NEXPERIA, Транзистор: N-JFET, GaN, полевой, HEMT, 100В, 60А, Idm: 230А, 394Вт