GAN080-650EBEZ Артикул: 858708 Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 2500 Минимальный заказ позиции: 2500	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, NEXPERIA, Транзистор: N-JFET, GaN, полевой, HEMT, 650В, 29А, Idm: 58А, 240Вт