2N7002BKV.115 Артикул: 361150 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А; 0,525Вт. Производитель: NEXPERIA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2933 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 250 Без НДС: 33.67 грн. 24.46 грн. 17.73 грн. 15.25 грн. 12.45 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT666
Производитель:	NEXPERIA
Pulsed drain current:	1,2А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	0,6нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,525Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	0,24А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А; 0,525Вт.

Теги: Транзисторы многоканальные, NEXPERIA, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 0, 24А, Idm: 1, 2А, 0, 525Вт