(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • 2N7002.215

2N7002.215

Артикул: 212585


Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; 830мВт; SOT23.

Производитель: NEXPERIA


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
25 		Кол-во:
61117


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 100 250 414 500 1139 24000
Без НДС: 5.98 грн. 4.12 грн. 3.35 грн. 2.49 грн. 2.25 грн. 1.79 грн. 1.78 грн. 1.69 грн. 1.66 грн.
Корпус: M20;
SOT23;
Производитель: 5...9мм;
NEXPERIA;
Вид упаковки: IP68;
бобина;
лента;
термопласт;
Кол-во в упаковке: 3000шт.
Монтаж: SMD;
черный;
Мощность: 0.83Вт;
830мВт;
HARTING;
Напряжение затвор-исток: M20;
±30В;
Напряжение сток-исток: 60В;
кабельный ввод;
Полярность: HARTING;
полевой;
Потери мощности: 0.83Вт;
830мВт;
Сопротивление в открытом состоянии: 9,25Ом;
9.25Ом;
черный;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: africa_anniversary;
N-MOSFET;
Ток стока: 0,19А;
0.19А;
190мА;
6...12мм;
Характеристики полупроводниковых элементов: ESD protected gate
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; 830мВт; SOT23.

Теги: NEXPERIA., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 190мА, 830мВт, SOT23.