MSC040SMA120B4Артикул: 470740 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 30 Срок поставки 20-30 дней |
|||||
|
|
||||||||
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 105А |
| Заряд затвора: | 137нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 323Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 50мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 46А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 46А, Idm: 105А, 323Вт

