|
|
IXYN82N120C3H1Артикул: 300708 Ic: 66А; SOT227B; винтами; винтами; 500Вт; GenX3™,XPT™. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,2кВ |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 500Вт |
| Технология: |
GenX3™; XPT™; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 66А |
| Ток коллектора в импульсе: | 320А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Ic: 66А; SOT227B; винтами; винтами; 500Вт; GenX3™,XPT™.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Ic: 66А, SOT227B, винтами, винтами, 500Вт, GenX3™, XPT™