|
|
IXXN200N65A4Артикул: 300626 Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1,25кВт; GenX4™,XPT™. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 650В |
| Обратное напряжение макс.: | 650В |
| Потери мощности: | 1,25кВт |
| Технология: |
GenX4™; XPT™; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 200А |
| Ток коллектора в импульсе: | 1,2кА |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Ic: 200А; SOT227B; винтами; винтами; 1,25кВт; GenX4™,XPT™.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Ic: 200А, SOT227B, винтами, винтами, 1, 25кВт, GenX4™, XPT™