|
|
IXGN100N170Артикул: 300150 Ic: 95А; SOT227B; винтами; винтами; 735Вт; NPT. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,7кВ |
| Обратное напряжение макс.: | 1,7кВ |
| Потери мощности: | 735Вт |
| Технология: | NPT |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 95А |
| Ток коллектора в импульсе: | 600А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | высоковольтный |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Ic: 95А; SOT227B; винтами; винтами; 735Вт; NPT.
Теги: Модули IGBT, IXYS, Ic: 95А, SOT227B, винтами, винтами, 735Вт, NPT