|
|
DAGNH200600Артикул: 315877 Полумост IGBT; Urmax: 600В; Ic: 200А; P: 780Вт; HB9434; винтами; NPT. Производитель: DACO SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
HB9434; HW9434; |
| Производитель: | DACO Semiconductor |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 780Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 600В |
| Потери мощности: | 780Вт |
| Рабочая температура: | -40...125°C |
| Технология: | NPT |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 200А |
| Ток коллектора в импульсе: | 400А |
| Топология: | полумост IGBT |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Полумост IGBT; Urmax: 600В; Ic: 200А; P: 780Вт; HB9434; винтами; NPT.
Теги: Модули IGBT, DACO Semiconductor, Полумост IGBT, Urmax: 600В, Ic: 200А, P: 780Вт, HB9434, винтами, NPT