|
|
APT45GP120JАртикул: 434630 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Технология: |
POWER MOS 7®; PT; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 34А |
| Ток коллектора в импульсе: | 170А |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 34А; SOT227B.
Теги: Модули IGBT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1, 2кВ, Ic: 34А, SOT227B