|
|
MMIX1T600N04T2Артикул: 373244 Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт. Производитель: IXYS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 20 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | SMPD |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 2кА |
| Время готовности: | 100нс |
| Заряд затвора: | 590нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 830Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1,3мОм |
| Технология: |
GigaMOS™; TrenchT2™; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 600А |
| Топология: | одиночный транзистор |
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 40В, 600А, Idm: 2кА, 830Вт