(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • MMIX1F160N30T

MMIX1F160N30T

Артикул: 373235


Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD.

Производитель: IXYS



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
20


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10
Без НДС: 2 343.28 грн. 2 252.96 грн.
Корпус: SMPD
Производитель: IXYS
Pulsed drain current: 440А
Время готовности: 200нс
Заряд затвора: 367нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 300В
Полярность: полевой
Потери мощности: 570Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 20мОм
Технология: GigaMOS™;
HiPerFET™;
Trench™;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 102А
Топология: одиночный транзистор
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, IXYS, Транзистор: N-MOSFET, GigaMOS™, полевой, 300В, 102А, Idm: 440А, SMPD