MMBZ33VALT1G Артикул: 233906 Диод: защитный; 40Вт; 33В; 0,87А; SOT23; Упаковка: бобина, лента. Производитель: ON SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 275 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 50 100 250 500 1000 1372 3000 Без НДС: 6.97 грн. 5.85 грн. 4.84 грн. 3.98 грн. 3.20 грн. 2.41 грн. 1.78 грн. 1.70 грн. 1.68 грн. 1.65 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	ON SEMICONDUCTOR
Вид упаковки:	бобина; лента;
Импульсный ток:	0,87А; 0.87А;
Конструкция диода:	двойной; общий анод; общий катод; однонаправленный;
Монтаж:	SMD
Напряжение пробоя:	33В
Обратное напряжение макс.:	26В
Погрешность:	±5%
Потери мощности:	40Вт
Тип диода:	TVS; защитный;
Ток утечки:	50нА
Характеристики полупроводниковых элементов:	защита ESD
PDF:

Диод: защитный; 40Вт; 33В; 0,87А; SOT23; Упаковка: бобина, лента.

Теги: ON SEMICONDUCTOR., Диод: защитный, 40Вт, 33В, 0, 87А, SOT23, Упаковка: бобина, лента.