MASMLJ16AE3 Артикул: 230012 Диод: защитный; 3кВт; 17,8В; 115,4А; однонаправленная; DO214AB; ±5%. Производитель: MICROSEMI		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 10 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 6 10 Без НДС: 412.73 грн. 386.37 грн. 380.98 грн. 365.41 грн. 351.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DO214AB
Производитель:	MICROSEMI
Импульсный ток:	115,4А; 115.4А;
Конструкция диода:	однонаправленный
Монтаж:	SMD
Напряжение пробоя:	17,8В; 17.8В;
Обратное напряжение макс.:	16В
Погрешность:	±5%
Потери мощности:	3кВт
Тип диода:	TVS; защитный;
Ток утечки:	2мкА
PDF:

Диод: защитный; 3кВт; 17,8В; 115,4А; однонаправленная; DO214AB; ±5%.

Теги: MICROSEMI., Диод: защитный, 3кВт, 17, 8В, 115, 4А, однонаправленная, DO214AB, ±5%.