|
|
APT45GP120JDQ2Артикул: 249825 Urmax:1,2кВ; Ic:34А; P:329Вт; Ifsm:170А; SOT227B; винтами; винтами. Производитель: MICROSEMI |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: |
MICROCHIP TECHNOLOGY; MICROSEMI; |
| Импульсный ток: | 170А |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 329Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±30В |
| Обратное напряжение макс.: |
1,2кВ; 1.2кВ; |
| Потери мощности: | 329Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 34А |
| Ток коллектора в импульсе: | 170А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Urmax:1,2кВ; Ic:34А; P:329Вт; Ifsm:170А; SOT227B; винтами; винтами.
Теги: MICROSEMI., Urmax:1, 2кВ, Ic:34А, P:329Вт, Ifsm:170А, SOT227B, винтами, винтами.