|
|
APT30M19JVFRАртикул: 238820 Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:130А; ISOTOP; 700Вт. Производитель: MICROSEMI |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | ISOTOP |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 520А |
| Вид упаковки: | туба |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 300В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 700Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 19мОм |
| Технология: | POWER MOS V® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип полупроводникового модуля: | MOSFET транзистор |
| Ток стока: | 130А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль; одиночный транзистор; Uds:300В; Id:130А; ISOTOP; 700Вт.
Теги: MICROSEMI., Модуль, одиночный транзистор, Uds:300В, Id:130А, ISOTOP, 700Вт.