|
|
MSC080SMA120B4Артикул: 470754 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 14 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 90А |
| Заряд затвора: | 64нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 200Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 100мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 26А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 26А, Idm: 90А, 200Вт