|
|
APT9M100BАртикул: 434904 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 6 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||
|
|
||||||||||||
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 37А |
| Заряд затвора: | 80нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 335Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1,4Ом |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 6А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 6А; Idm: 37А; 335Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 6А, Idm: 37А, 335Вт, TO247-3