APT5016BLLGАртикул: 434665 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; Idm: 120А; 329Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 120А |
| Заряд затвора: | 72нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 329Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 160мОм |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 30А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; Idm: 120А; 329Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 30А, Idm: 120А, 329Вт, TO247-3

