|
|
APT31M100LАртикул: 434549 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 20А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO264 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 120А |
| Заряд затвора: | 260нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,04кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 380мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 20А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 20А; Idm: 120А; 1,04кВт; TO264.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 20А, Idm: 120А, 1, 04кВт, TO264