|
|
APT10M11LVRGАртикул: 434283 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO264 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Заряд затвора: | 450нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 520Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11мОм |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 100А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 100В, 100А, 520Вт