|
|
APT10086BVRGАртикул: 434254 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 52А |
| Заряд затвора: | 275нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 370Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 860мОм |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 13А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 13А; Idm: 52А.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 1кВ, 13А, Idm: 52А