APT1001RSVRGАртикул: 434221 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 26 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||
|
||||||||||||
Корпус: | D3PAK |
Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Pulsed drain current: | 44А |
Заряд затвора: | 225нC |
Монтаж: | SMD |
Напряжение затвор-исток: | ±30В |
Напряжение сток-исток: | 1кВ |
Полярность: | полевой |
Потери мощности: | 280Вт |
Сопротивление в открытом состоянии: | 1Ом |
Технология: | POWER MOS 5® |
Тип канала: | обогащенный |
Тип транзистора: | N-MOSFET |
Ток стока: | 11А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 1кВ, 11А, Idm: 44А