|
|
APT1001RBVFRGАртикул: 434219 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 44А |
| Заряд затвора: | 150нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 278Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1Ом |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 11А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 1кВ, 11А, Idm: 44А