|
|
APT5017BVRGАртикул: 237048 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247. Производитель: MICROSEMI |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247 |
| Производитель: | MICROSEMI |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 300нC |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 370Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 370Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 170мОм |
| Технология: | POWER MOS V® |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 30А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247.
Теги: MICROSEMI., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 30А, 370Вт, TO247.