YJSD12N03A Артикул: 490985 Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 7445 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 110 300 8000 Без НДС: 14.21 грн. 10.34 грн. 9.13 грн. 8.18 грн. 7.74 грн. 7.42 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOP8
Производитель:	YANGJIE TECHNOLOGY
Pulsed drain current:	50А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	23,6нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	2,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	15мОм
Технология:	TRENCH POWER LV
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	9,6А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; полевой; 30В; 9,6А; SOP8.

Теги: Транзисторы многоканальные, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET x2, TRENCH POWER LV, полевой, 30В, 9, 6А, SOP8