|
|
SI4936CDY-T1-GE3Артикул: 483394 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2831 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 20А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 9нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,5Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 50мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: | 4,6А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А.
Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET x2, TrenchFET®, полевой, 30В, 4, 6А, Idm: 20А