SI4559ADY-T1-GE3Артикул: 406764 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5 |
Кол-во: 1915 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 20/22нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2/2,2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 58/120мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: | 4,3/-3,2А |
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N/P-MOSFET

