SI3585CDV-T1-GE3 Артикул: 262392 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 4275 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 67 183 Без НДС: 49.46 грн. 35.52 грн. 24.19 грн. 13.37 грн. 12.60 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TSOP6
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	4,8/9нC; 4.8/9нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.9/8Вт
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	20/-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,9/8Вт; 0.9/8Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	78/316мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N/P-MOSFET
Ток стока:	3,1/-1,7А; 3.1/-1.7А;
PDF:

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт.

Теги: VISHAY., Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, 20/-20В, 3, 1/-1, 7А, 0, 9/8Вт.